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SiA406DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
5
V GS = 5 V thr u 1.5 V
4
15
3
10
2
T C = 25 °C
5
1
T C = 125 °C
V GS = 1 V
T C = - 55 °C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.025
0.023
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.021
0.019
V GS = 1. 8 V
1500
1000
C iss
0.017
0.015
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
500
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
3
6
9
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
I D = 10. 8 A
1.4
V GS = 2.5 V ; I D = 10.2 A
V DS = 6 V
3
V DS = 3 V
V DS = 9.6 V
1.2
2
1
0
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V; I D = 10.8 A
0
3
6
9
12
15
1 8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65361
S09-1924-Rev. A, 28-Sep-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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SIA408DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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